Semiconductor device and method of manufacturing the same

Abstract

Abstract Translated from Japanese 【課題】ＺｎＯから半導体層を形成し、かつ、電極・配線材料としてアルミニウム用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】基板１と、基板１に支持されている少なくとも１つの電極と、電極の上面の少なくとも一部に接触する半導体層（ＺｎＯ）４とを備えた半導体装置であって、電極は、アルミニウムから形成された第１導電層２と、第１導電層２の上面と半導体層４との間に配置され、アルミニウムよりも電蝕反応を生じにくい材料（Ｔｉなど）から形成された第２導電層３と、半導体層４の下面と第１導電層２の側面との間に位置する絶縁性保護層７とを有している。 【選択図】 図２ Provided is a semiconductor device in which a semiconductor layer is formed from ZnO and aluminum is used as an electrode / wiring material. A semiconductor device includes a substrate, at least one electrode supported by the substrate, and a semiconductor layer (ZnO) that contacts at least a part of an upper surface of the electrode. A first conductive layer 2 made of aluminum and a second conductive layer 2 disposed between the upper surface of the first conductive layer 2 and the semiconductor layer 4 and made of a material (such as Ti) that is less likely to cause an electrolytic corrosion reaction than aluminum. The semiconductor device includes a conductive layer and an insulating protective layer located between a lower surface of the semiconductor layer and a side surface of the first conductive layer. [Selection] Fig. 2

Inventors

• 👤 Tatsuya Fujita
• 👤 達也 藤田
• 👤 Toshinori Sugihara
• 👤 利典 杉原
• 👤 Hisao Ochi
• 👤 久雄 越智
• 👤 Masashi Kawasaki
• 👤 雅司 川崎
• 👤 Hideo Ono
• 👤 英男 大野

Bibliographic Details