Semiconductor device, its manufacturing method and its manufacturing apparatus

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】本発明の目的は、ゲート絶縁膜中への不純物混 入の抑制と元素欠陥を除去することができ、ゲート絶縁 膜の固定電荷フリーとリークの発生等を抑制できる半導 体装置とその製造方法及びその製造装置を提供すること にある。 【解決手段】本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲー ト絶縁膜を有する半導体装置において、前記ゲート絶縁 膜は金属酸化物の水酸化物からなることを特徴とする。 又、本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜 を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶 縁膜を形成する際、前記シリコン単結晶基板表面をアル カリ性ガスによってアルカリ処理する工程と、金属化合 物ガスによって成膜する成膜工程とを有し、その成膜室 にアルカリ性ガスと、金属化合物ガスを供給する導入口 を有することを特徴とする。 (57) Abstract: An object of the present invention is to suppress contamination of impurities into a gate insulating film and remove elemental defects, thereby suppressing fixed charge free and leaking of the gate insulating film. An object of the present invention is to provide a semiconductor device, a method for manufacturing the same, and a device for manufacturing the same. The present invention provides a semiconductor device having a gate insulating film on a silicon single crystal substrate, wherein the gate insulating film is made of a metal oxide hydroxide. Further, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device in which a gate insulating film is formed on a silicon single crystal substrate. A film forming step of forming a film with a metal compound gas, and the film forming chamber has an inlet for supplying an alkaline gas and a metal compound gas.

Inventors

• 👤 Toshihide Namatame
• 👤 俊秀 生田目
• 👤 Masaru Kadoshima
• 👤 勝 門島
• 👤 Takaaki Suzuki
• 👤 孝明 鈴木
• 👤 Yasuhiko Murata
• 👤 康彦 村田

Bibliographic Details