Porous silica thin films for insulating thin films

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 多孔性シリカ薄膜の比誘電率が低く、半導体 素子の銅配線工程におけるＣＭＰ工程に十分耐える機械 的強度を有する多孔性シリカ薄膜を提供する。 【解決手段】 密度が０．５〜１．５で、密度（ｄ） と、ヤングモジュラス（Ｅ）と硬度（Ｈ）との関係が下 記関係式（１）および（２）で表され、アルキル基及び ／又はフェニル基の含有量が全ケイ素原子数に対し５〜 １００モル％であることを特徴とする多孔性シリカ薄 膜。 １．５＋０．１６ｅ 2.9d ≦Ｅ≦２．０＋１．５ｅ 1.8d ・・・（１） ０．２＋０．０４２ｅ 2.4d ≦Ｈ≦０．０４２ｅ 4.2 d ・・・（２） 〔但し式中、ｄは薄膜の密度、Ｈは薄膜の硬度、（Ｅ） はヤングモジュラスを示す。〕 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a porous silica thin film having a low relative dielectric constant of a porous silica thin film and having sufficient mechanical strength to withstand a CMP step in a copper wiring step of a semiconductor element. The density (d) is 0.5 to 1.5. And the relationship between Young's modulus (E) and hardness (H) is represented by the following relational expressions (1) and (2), and the content of the alkyl group and / or phenyl group is 5 to 5 with respect to the total number of silicon atoms. A porous silica thin film characterized by being 100 mol%. 1.5 + 0.16e 2.9d ≦ E ≦ 2.0 + 1.5e 1.8d (1) 0.2 + 0.042e 2.4d ≦ H ≦ 0.042e 4.2 d (2) Is the density of the thin film, H is the hardness of the thin film, and (E) Indicates Young's modulus. ]

Inventors

• 👤 Hiroyuki Hanabatake
• 👤 博之 花畑
• 👤 Takaaki Ioka
• 👤 崇明 井岡

Bibliographic Details