High frequency power amplifier

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 高調波成分による電力効率の低下が起きにく い高周波電力増幅器を提供する。 【解決手段】 本発明の高周波電力増幅器は、入力整合 回路１と、電力増幅を行うＦＥＴ(Ｑ１)を内蔵する第１ の半導体チップ２と、段間整合回路３と、電力増幅を行 うＦＥＴ(Ｑ２)を内蔵する第２の半導体チップ４と、基 本波整合回路５とを、モジュール基板６上に形成したも のであり、第２の半導体チップ４内に２倍波整合回路８ が設けられる。ＦＥＴ(Ｑ２)のドレイン端子と、その後 段の２倍波整合回路８との間の寄生容量や寄生インダク タンスを小さくすることができ、電力効率を向上させる ことができる。また、本発明は、基本的な回路構成自体 は従来の電力増幅器と同じであるため、設計変更が容易 であり、コストをかけることなく電力効率の向上が図れ る。 (57) [Problem] To provide a high-frequency power amplifier in which a reduction in power efficiency due to a harmonic component does not easily occur. A high-frequency power amplifier according to the present invention includes an input matching circuit (1) and a first (Q1) having a built-in FET (Q1) for power amplification. A semiconductor chip 2, an inter-stage matching circuit 3, a second semiconductor chip 4 having a built-in FET (Q2) for power amplification, and a fundamental wave matching circuit 5 formed on a module substrate 6. , A second harmonic matching circuit 8 in the second semiconductor chip 4 Is provided. The parasitic capacitance and the parasitic inductance between the drain terminal of the FET (Q2) and the second harmonic matching circuit 8 at the subsequent stage can be reduced, and the power efficiency can be improved. Further, in the present invention, since the basic circuit configuration itself is the same as the conventional power amplifier, the design can be easily changed, and the power efficiency can be improved without increasing the cost.

Inventors

• 👤 Tomotoshi Inoue
• 👤 上 智 利 井

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