Semiconductor device and manufacturing method thereof

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 トレンチ側壁酸化膜の膜厚をほぼ均一とする こと。 【解決手段】 本発明にかかる半導体装置の製造方法 は、トレンチ形成後に熱工程を経ることによりトレンチ をほぼ八面体とし、熱酸化膜を形成することにより酸化 膜の膜厚をほぼ一定とできる。 [PROBLEMS] To make the thickness of a trench sidewall oxide film substantially uniform. A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention can make a trench substantially octahedral by performing a thermal process after forming a trench, and can make a thickness of an oxide film substantially constant by forming a thermal oxide film.

Inventors

• 👤 Takashi Kito
• 👤 傑 鬼頭
• 👤 Tsutomu Sato
• 👤 力 佐藤

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