Nitride semiconductor element

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 ＧａＮ基板上に成長させるデバイス構造に微 細なクラックが発生することを防止し、寿命特性などの 素子特性を向上させ、信頼性の更なる向上が可能な窒化 物半導体素子を提供することである。 【解決手段】 ＧａＮ基板上に、ＧａＮより熱膨張係数 の小さい窒化物半導体［Ａｌ a Ｇａ 1-a Ｎ（０＜ａ＜ １）］を成長させ、その上にデバイス構造を形成させて なる。 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride capable of preventing generation of minute cracks in a device structure grown on a GaN substrate, improving element characteristics such as life characteristics, and further improving reliability. It is to provide a semiconductor device. SOLUTION: On a GaN substrate, a nitride semiconductor [Al a Ga 1-a N (0 <a < 1)], and a device structure is formed thereon.

Inventors

• 👤 Shinichi Nagahama
• 👤 慎一 長濱
• 👤 Shuji Nakamura
• 👤 修二 中村

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