Field effect transistor, semiconductor device having the same, and method of manufacturing the same

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 ソース電極−ゲート電極間及びドレイン電極 −ゲート電極間の寄生抵抗、及びソース電極及びドレイ ン電極における接触抵抗を低減することができ、しきい 値電圧の異なるノーマリオン型とノーマリオフ型を同一 基板上に形成することができる電界効果トランジスタと それを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１上に窒化ガリウム系の化合物半導 体からなるチャネル層２３を備え、チャネル層２３上に ソース電極２５、ドレイン電極２６及びゲート電極２７ を備えてなる電界効果トランジスタにおいて、チャネル 層２３上に、チャネル層２３より不純物濃度の高い窒化 ガリウム系の化合物半導体からなるコンタクト層２４を 連続して形成してなることを特徴とする。 PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a parasitic resistance between a source electrode and a gate electrode and between a drain electrode and a gate electrode and a contact resistance between a source electrode and a drain electrode, and to provide normally-on transistors having different threshold voltages. Field effect transistor capable of forming a mold and a normally-off type on the same substrate, a semiconductor device having the same, and a method of manufacturing the same. A channel layer made of a gallium nitride-based compound semiconductor is provided on a substrate, and a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode are provided on the channel layer. Is characterized in that a contact layer 24 made of a gallium nitride-based compound semiconductor having a higher impurity concentration than the channel layer 23 is formed continuously on the channel layer 23.

Inventors

• 👤 Takashi Egawa
• 👤 孝志 江川
• 👤 Hiroyasu Ishikawa
• 👤 博康 石川
• 👤 Masayoshi Umeno
• 👤 正義 梅野
• 👤 Nakao Akutsu
• 👤 仲男 阿久津
• 👤 Isao Matsumoto
• 👤 功 松本

Bibliographic Details