Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 発光素子として満足のゆく結晶性を有するＺ ｎＯ発光層をもった半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 サファイア基板等の下地基板と、下地基 板上に形成されるＺｎＯ発光層を有してなる半導体発光 素子において、前記下地基板とＺｎＯ発光層との間に、 Ｎｉ等の不純物のドープされたＺｎＯバッファ層を介在 して設ける。 (57) [Summary] Z having satisfactory crystallinity as a light emitting element Provided is a semiconductor light emitting device having an nO light emitting layer. SOLUTION: In a semiconductor light emitting device having an undersubstrate such as a sapphire substrate and a ZnO light emitting layer formed on the undersubstrate, between the undersubstrate and the ZnO light emitting layer, It is provided with a ZnO buffer layer doped with an impurity such as Ni interposed therebetween.

Inventors

• 👤 Michio Kadota
• 👤 道雄 門田

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