Method for manufacturing semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 半導体装置の製造方法に関し、多結晶シリコ ン・ゲートとゲート酸化膜との界面で硼素などの不純物 が通過するのを阻止できるようにして、不純物がチャネ ル領域に突き抜けることがないようにする。 【解決手段】 シリコン・ウエハ１上にゲート酸化膜と なる酸化膜２を形成してからＡｒ，Ｎｅ，Ｈｅ，Ｘｅ， Ｋｒなどの稀ガス雰囲気中でプラズマ照射して酸化膜２ に於けるシリコンと酸素の結合を切断し、次に、Ｎ 2 を 含む雰囲気中でプラズマ照射して窒素とシリコンとを結 合させ酸化膜２の表面上に窒化膜３を生成させ、次に、 Ｎ 2 を含む雰囲気中で熱処理を行ってプラズマ・ダメー ジを回復させ、その後、窒化膜３が生成された酸化膜２ 上に多結晶シリコン膜を形成する。 Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor device, wherein an impurity such as boron can be prevented from passing at an interface between a polycrystalline silicon gate and a gate oxide film, and the impurity penetrates into a channel region. Make sure you don't have to. SOLUTION: An oxide film 2 serving as a gate oxide film is formed on a silicon wafer 1 and then Ar, Ne, He, Xe, Oxide film 2 by plasma irradiation in rare gas atmosphere such as Kr Is cut off, and then plasma irradiation is performed in an atmosphere containing N 2 to bond nitrogen and silicon to form a nitride film 3 on the surface of the oxide film 2. A heat treatment is performed in an atmosphere containing N 2 to recover the plasma damage, and thereafter, the nitride film 3 is formed on the oxide film 2. A polycrystalline silicon film is formed thereon.

Inventors

• 👤 Toshiro Nakanishi
• 👤 俊郎 中西
• 👤 Kenji Ishikawa
• 👤 健治 石川

Bibliographic Details