Semiconductor memory device

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】δ相Ｔａ 2 Ｏ 5 を高誘電体膜として用いた半導体 メモリ素子を提供する。 【解決手段】誘電率の高いδ相Ｔａ 2 Ｏ 5 をキャパシタに 適用すると高集積大容量のＤＲＡＭが実現できる。 (57) Abstract: Provided is a semiconductor memory element using δ-phase Ta 2 O 5 as a high dielectric film. When a δ-phase Ta 2 O 5 having a high dielectric constant is applied to a capacitor, a highly integrated and large-capacity DRAM can be realized.

Inventors

• 👤 Naoki Kanda
• 👤 直樹 神田
• 👤 Masahiko Hiratani
• 👤 正彦 平谷
• 👤 Masato Kunitomo
• 👤 正人 國友
• 👤 Ryoichi Furukawa
• 👤 亮一 古川
• 👤 Hirohiko Yamamoto
• 👤 裕彦 山本
• 👤 Masahito Takahashi
• 👤 雅人 高橋
• 👤 Toshio Uemura
• 👤 俊雄 植村
• 👤 Kiyoshi Ogata
• 👤 潔 尾形

Bibliographic Details