Capacitor, method for forming the same, integrated circuit chip, and semiconductor element

Abstract

Abstract Translated from Japanese (57)【要約】 【課題】 ＢＥＯＬ配線レベルをコンデンサ電極として 使用するコンデンサの形成において使用可能な、薄膜誘 電体材料を提供することである。 【解決手段】 集積回路アプリケーションにおいてコン デンサを形成するために使用される、１０以上の誘電率 を有する非晶質誘電体材料が提供される。ＢＥＯＬ冶金 学が悪影響を受けないように、非晶質誘電体材料が４５ ０℃以下の温度で形成される。本発明の非晶質誘電体材 料は、良好な共形性及び低リーク電流を示す。また、本 発明のコンデンサを含むダマシーン素子も開示される。 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film dielectric material which can be used in forming a capacitor using a BEOL wiring level as a capacitor electrode. SOLUTION: An amorphous dielectric material having a dielectric constant of 10 or more for use in forming a capacitor in an integrated circuit application is provided. Amorphous dielectric material is required to be 45% so that BEOL metallurgy is not adversely affected. It is formed at a temperature of 0 ° C. or less. The amorphous dielectric material of the present invention shows good conformality and low leakage current. Also disclosed is a damascene element including the capacitor of the present invention.

Inventors

• 👤 Richard Dankuumu Peter
• 👤 ピーター・リチャード・ダンクーム
• 👤 Daniel Charles Edelstein
• 👤 ダニエル・チャールズ・イーデルステイン
• 👤 Robert Benjamin Laibowitz
• 👤 ロバート・ベンジャミン・ライボウィッツ
• 👤 Anne Newmeyer Deborah
• 👤 デボラ・アン・ニューメイヤー
• 👤 Tak H Ning
• 👤 タク・ハン・ニン
• 👤 Robert Rosenberg
• 👤 ロバート・ローゼンバーグ
• 👤 Makarooru Show Thomas
• 👤 トーマス・マカロール・ショー

Bibliographic Details