HIGH-DIMENSIONAL IMAGE SENSOR ELEMENT, PHOTODETECTORS USED IN SENSOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTODETECTORS

Abstract

Abstract Translated from French LA PRESENTE INVENTION CONCERNE UN ELEMENT DETECTEUR D'IMAGE DE GRANDE DIMENSION ET DES PHOTODETECTEURS UTILISES DANS CET ELEMENT DETECTEUR ET UN PROCEDE DE FABRICATION DES PHOTODETECTEURS. L'ELEMENT DETECTEUR D'IMAGE DE GRANDE DIMENSION COMPREND UN RESEAU DE PHOTODETECTEUR CONSISTANT EN PLUSIEURS PHOTODETECTEURS DISPOSES EN RESEAU, CHACUN DES PHOTODETECTEURS COMPRENANT: UNE COUCHE PHOTOCONDUCTRICE CONTENANT DU SILICIUM AMORPHE PREVUE SUR UN SUBSTRAT 1, CETTE COUCHE PHOTOCONDUCTRICE CONSISTANT EN FILMS MINCES DE DEUX OU PLUSIEURS COUCHES 2, 3 AYANT DES INDICES DE REFRACTION DIFFERENTS ET L'INDICE DE REFRACTION DE LA COUCHE INFERIEURE 2 N'ETANT PAS SUPERIEUR A 3,2 POUR DE LA LUMIERE D'UNE LONGUEUR D'ONDE DE 632,8NM, UNE PAIRE D'ELECTRODES 5, 6 PREVUES EN CONTACT ELECTRIQUE AVEC LA COUCHE PHOTOCONDUCTRICE, ET UNE PARTIE DE PHOTODETECTION; ET UNE SOURCE LUMINEUSE POUR ECLAIRER UN ORIGINAL. THE PRESENT INVENTION CONCERNS A LARGE-DIMENSIONAL IMAGE DETECTOR ELEMENT AND PHOTODETECTORS USED IN THIS DETECTOR ELEMENT AND A PROCESS FOR MANUFACTURING PHOTODETECTORS. THE LARGE IMAGE SENSOR ELEMENT INCLUDES A PHOTODETECTOR NETWORK CONSISTING OF SEVERAL PHOTODETECTORS ARRANGED IN AN NETWORK, EACH OF THE PHOTODETECTORS INCLUDING: A PHOTOCONDUCTOR LAYER CONTAINING PRIMED SILICON PROVIDED ON A SUBSTRATE 1, THIS FILM CONSISTING OF PHOTOCONDOUS MINOR LAYER OR SEVERAL LAYERS 2, 3 HAVING DIFFERENT REFRACTION RATINGS AND THE LOWER LAYER REFRACTION RATING 2 NOT MORE THAN 3.2 FOR LIGHT WITH A WAVELENGTH OF 632.8NM, ONE PAIR ELECTRODES 5, 6 PROVIDED IN ELECTRICAL CONTACT WITH THE PHOTOCONDUCTIVE LAYER, AND A PHOTODETECTION PART; AND A LIGHT SOURCE TO LIGHT AN ORIGINAL.

Inventors

• 👤 Masaki Fukaya
• 👤 Toshiyuki Komatsu
• 👤 Tatsumi Shoji
• 👤 Masaru Kamio
• 👤 Nobuyuki Sekimura

Bibliographic Details