HIGH FREQUENCY BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Abstract

Abstract Translated from French CE TRANSISTOR COMPREND AU-DESSUS DES DOIGTS DE BASE 10 UNE COUCHE DE SILICIURE DE TITANE A PARTIR DE LAQUELLE ONT ETE FORMEES LES DIFFUSIONS DE BASE 10 ET UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM 4. LES BORDS DES SANDWICHES CONSTITUES PAR LES BANDES 3 ET 4 SONT BORDES PAR UN REMBLAI 7 DE SILICE FORME AUTOMATIQUEMENT PAR DEPOT ET ATTAQUE ANISOTROPE SANS MASQUAGE SUPPLEMENTAIRE. LES DOIGTS D'EMETTEUR 9 SONT SURPLOMBES PAR UNE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN 8 A PARTIR DUQUEL LE DOPAGE DE CES DOIGTS A ETE OBTENU. ON OBTIENT AINSI AUTOMATIQUEMENT ET SANS ALIGNEMENT DE MASQUES LA POSSIBILITE D'AVOIR DES DOIGTS D'EMETTEUR ET DE BASE FORTEMENT RAPPROCHES AVEC DES DISTANCES DE GARDE MINIMALES. THIS TRANSISTOR INCLUDES ABOVE THE BASIC FINGERS 10 A LAYER OF TITANIUM SILICIDE FROM WHICH WERE FORMED THE BASIC DIFFUSIONS 10 AND A SILICON NITRIDE LAYER 4. THE EDGES OF THE SANDWICHES CONSTITUTED BY THE BANDS 3 AND 4 ARE EDGED BY A SILICA FILL 7 AUTOMATICALLY FORMED BY ANISOTROPIC DEPOSIT AND ATTACK WITHOUT ADDITIONAL MASKING. THE TRANSMITTER FINGERS 9 ARE OVERHEADED BY A LAYER OF POLYCRYSTALLINE SILICON 8 FROM WHICH THE DOPING OF THESE FINGERS HAS BEEN OBTAINED. THUS AUTOMATICALLY AND WITHOUT ALIGNMENT OF MASKS IS OBTAINED THE POSSIBILITY OF HAVING STRONGLY CLOSED TRANSMITTER AND BASE FINGERS WITH MINIMUM GUARD DISTANCES.

Inventors

• 👤 Agustin Coello-Vera

Bibliographic Details