Phase shifting mask

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft eine Phasenmaske (1) zur Belichtung einer photoempfindlichen Schicht bei einem Photolithographieprozess zur Herstellung integrierter Schaltungen mit einem vorgegebenen Muster von lichtdurchlässigen Bereichen. Die Phasenmaske ist in Zonen (3), in welchen die Abstände von benachbarten Bereichen in wenigstens einer Raumrichtung unterhalb eines vorgegebenen Grenzabstands liegen, jeweils als alternierende Phasenmaske ausgebildet. Die Zonen (4) mit isolierten Kontaktfenstern (2) sind jeweils als Halbton-Phasenmaske oder chromlose Phasenmaske ausgebildet. <IMAGE> The invention relates to a phase mask (1) for exposing a photosensitive layer in a photolithography process for producing integrated circuits with a predetermined pattern of translucent areas. The phase mask is designed as an alternating phase mask in zones (3) in which the distances from adjacent areas in at least one spatial direction lie below a predetermined limit distance. The zones (4) with insulated contact windows (2) are each designed as a halftone phase mask or a chromeless phase mask. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Fritz Gans
• 👤 Uwe Dr. Griesinger
• 👤 Rainer Dr. Pforr

Bibliographic Details