Micro-machined sensor, particularly for displacement

Abstract

Abstract Translated from French Ce capteur inductif micro-usiné permet, sans contact et par l'intermédiaire d'un champ magnétique alternatif rayonné, de détecter la position et/ou le mouvement d'un objet (0) susceptible de modifier ce champ magnétique et comprenant à cet effet au moins une discontinuité (D, C). Le capteur comporte une bobine émettrice planaire (10) pour émettre le champ magnétique alternatif et des bobines réceptrices planaires (11 à 14) placées de manière à capter une part déterminée dudit champ et les variations de cette part magnétique captée dues à la discontinuité de l'objet (0). Les bobines sont disposées sur un substrat commun et obtenues par des opérations de photolithographie sélective. Selon l'invention, dans les zones sur le substrat dans lesquelles la bobine réceptrice (10) est contiguë à une bobine réceptrice (11 à 14), il est prévu au moins une plage de blindage galvaniquement indépendante des bobines (10 à 14) et connectée à un potentiel de référence. La plage de blindage (21) est formée par une couche de métallisation déposée sur le substrat. <IMAGE> This micro-machined inductive sensor allows, without contact and by means of a radiated alternating magnetic field, to detect the position and / or movement of an object (0) capable of modifying this magnetic field and comprising for this purpose at least one discontinuity (D, C). The sensor comprises a planar emitting coil (10) for emitting the alternating magnetic field and planar receiving coils (11 to 14) placed so as to pick up a determined part of said field and the variations of this captured magnetic part due to the discontinuity of the 'object (0). The coils are arranged on a common substrate and obtained by selective photolithography operations. According to the invention, in the areas on the substrate in which the take-up coil (10) is contiguous with a take-up coil (11 to 14), at least one shielding range is provided which is galvanically independent of the coils (10 to 14) and connected to a reference potential. The shielding area (21) is formed by a metallization layer deposited on the substrate. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Yves De Coulon
• 👤 Michel Alain Chevroulet

Bibliographic Details