CMOS integrated circuit and method of manufacturing the same

Abstract

Abstract Translated from German Auf einer isolierenden Schicht (2), die auf einer Trägerplatte (1) angeordnet ist, sind Halbleiterinseln (6) angeordnet, die jeweils mindestens eine Si1-xGex-Schicht (4) und eine verspannte Siliziumschicht (5) umfassen, die im wesentlichen die gleiche Gitterkonstante wie die Si1-xGex-Schicht (4) aufweist. Die Halbleiterinseln werden vorzugsweise durch selektive Epitaxie gebildet und umfassen p-Kanal-MOS-Transistoren und/oder n-Kanal-MOS-Transistoren. <IMAGE> Semiconductor islands (6) are arranged on an insulating layer (2), which is arranged on a carrier plate (1), each comprising at least one Si1-xGex layer (4) and a strained silicon layer (5), which essentially comprise has the same lattice constant as the Si1-xGex layer (4). The semiconductor islands are preferably formed by selective epitaxy and comprise p-channel MOS transistors and / or n-channel MOS transistors. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Bernhard Dr. Lustig
• 👤 Herbert Dr. Schäfer
• 👤 Martin Franosch

Bibliographic Details