Isolation process by deposition of viscous oxide in narrow cavities and semiconductor device

Abstract

Abstract Translated from French L'invention concerne un procédé d'isolement électrique de matériaux conducteurs ou semi-conducteurs d'un substrat, caractérisé en ce qu'il comporte au moins les étapes suivantes : (a) on dépose sur les régions prédéterminées du substrat à isoler au moins une couche d'oxyde isolant dit conforme; (b) on dépose sur les régions prédéterminées, par réaction chimique en phase plasma de tétraalkosilicate et de péroxyde d'hydrogène, une couche de précurseur d'oxyde aplanissant; (c) on dépose sur les régions prédéterminées au moins une couche d'oxyde isolant; et (d) on effectue un recuit de transformation. Elle concerne également les dispositifs semi-conducteurs et éléments de circuits intégrés à cavités étroites isolées. <IMAGE> The invention relates to a method of electrically isolating conductive or semi-conductive materials from a substrate, characterized in that it comprises at least the following steps: (a) at least one of the substrate to be insulated is deposited a layer of insulating oxide known as conformal; (b) a layer of planarizing oxide precursor is deposited on the predetermined regions, by chemical reaction in the plasma phase of tetraalkosilicate and hydrogen peroxide; (c) at least one layer of insulating oxide is deposited on the predetermined regions; and (d) performing a transformation annealing. It also relates to semiconductor devices and elements of integrated circuits with narrow isolated cavities. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Pierre Brouquet

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