Manufacturing process of a marking on a semiconductor wafer comprising a buried structure

Abstract

Abstract Translated from French Pour permettre d'aligner bout à bout deux guides d'ondes optiques dont l'un présente la forme d'un ruban enterré dans une plaquette semiconductrice, on utilise un repère latéral longitudinal constitué par le flanc d'une vallée gravée dans cette plaquette et autoaligné sur le ruban formé en premier. Pour réaliser cet autoalignement on dépose dans la zone où le repère doit être formé une couche de protection (4) puis une couche de conservation de position (5), puis une résine photosensible sur ces couches et sur le substrat. Une première attaque sélective élimine la couche de conservation de position sur l'emplacement de la vallée du repère. Enfin une deuxième et une troisième attaques sélectives gravent les canaux latéraux du ruban puis la vallée du repère. To allow the end-to-end alignment of two optical waveguides, one of which has the shape of a ribbon buried in a semiconductor wafer, a longitudinal lateral marker is used, consisting of the side of a valley etched in this wafer and self-aligned with the ribbon formed first. To achieve this self-alignment, a protective layer (4) is then deposited in the area where the mark is to be formed, then a position preservation layer (5), then a photosensitive resin on these layers and on the substrate. A first selective attack eliminates the position conservation layer on the location of the landmark valley. Finally a second and a third selective attacks engrave the lateral channels of the ribbon then the valley of the marker.

Inventors

• 👤 Franck Mallecot
• 👤 Lionel Legouezigou
• 👤 Claude Artigue
• 👤 Francis Poingt
• 👤 Denis Leclerc
• 👤 Frédéric Pommereau

Bibliographic Details