Circuit for generating a programming voltage for a programmable read-only memory, especially of an EPROM type, and method and memory relating to it

Abstract

Abstract Translated from French Dispositif (10) pour générer une tension de programmation (Vp) d'une mémoire permanente programmable, notamment de type EPROM, à partir d'une source externe de tension continue (Vpp), comprenant des moyens (TA, TB, R1, R2, R3) pour générer une tension de référence (Vs). Ce dispositif (10) comprend en outre des moyens (20) pour dupliquer ladite tension de référence (Vs), agencés selon une structure de miroir de tension et de courant et générant en sortie la tension de programmation (Vp), et un transistor MOS suiveur (12) dont le drain et la source sont respectivement reliés à la source externe de tension continue (Vpp) et à la sortie desdits moyens de duplication (20) et dont la grille est reliée à un noeud interne prédéterminé (N) desdits moyens (TA, TB, R1, R2, R3) pour générer une tension de référence. Utilisation en micro-électronique, notamment pour les mémoires EPROM Voir Figure 2. <IMAGE> Device (10) for generating a programming voltage (Vp) of a permanent programmable memory, in particular of the EPROM type, from an external source of direct voltage (Vpp), comprising means (TA, TB, R1, R2 , R3) to generate a reference voltage (Vs). This device (10) further comprises means (20) for duplicating said reference voltage (Vs), arranged according to a structure of voltage and current mirror and generating as output the programming voltage (Vp), and a MOS transistor follower (12) whose drain and source are respectively connected to the external DC voltage source (Vpp) and to the output of said duplicating means (20) and whose grid is connected to a predetermined internal node (N) of said means (TA, TB, R1, R2, R3) to generate a reference voltage. Use in microelectronics, especially for EPROM memories See Figure 2. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Emilio Yero

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