Process for the recrystallization of a pre-amorphized superficial zone of a semi-conductor

Abstract

Abstract Translated from German Es wird ein Verfahren zur thermischen Ausheilung von amorphen Oberflächenschichten auf einem einkristallinen Halbleitergrundkörper beschrieben. Die amorphe Oberflächenschicht entsteht durch Implantation von Germanium- oder Silizium-Ionen in einem einkristallinen Siliziumgrundkörper. Anschließend wird die amorphe Schicht durch Implantation von Störstellen-Ionen dotiert und einem Dreistufen-Ausheilprozeß unterworfen. Während der ersten Stufe dieses Prozesses wird bei einer Temperatur von 400 bis 460 °C der Übergangsbereich zwischen der amorphen Schicht und dem einkristallinen Grundkörper geglättet, in der zweiten Stufe rekristallisiert die amorphe Schicht bei einer Temperatur von 500 bis 600 °C und während der dritten Stufe werden die Dotierungsstoffe in einem RTA-Prozeß aktiviert. <IMAGE> A method for the thermal healing of amorphous surface layers on a single-crystalline semiconductor base body is described. The amorphous surface layer is created by implanting germanium or silicon ions in a single-crystal silicon body. The amorphous layer is then doped by implantation of impurity ions and subjected to a three-stage annealing process. During the first stage of this process, the transition region between the amorphous layer and the single-crystalline base body is smoothed at a temperature of 400 to 460 ° C, in the second stage the amorphous layer recrystallizes at a temperature of 500 to 600 ° C and during the third stage the dopants are activated in an RTA process. <IMAGE>

Inventors

• 👤 Heinz-Achim Hefner
• 👤 Joachim Imschweiler
• 👤 Michael Dr. Seibt

Bibliographic Details