High resolution photoresist

Abstract

Abstract Translated from German Es wird ein wäßrig alkalisch entwickelbarer Photoresist vorgeschlagen, der für eine Lithographie im tiefen UV geeignet ist und eine Strukturauflösung im sub-µm-Bereich zeigt. Der Photoresist enthält ein entwickelbares Basispolymer, welches als lösungsvermittelnde Gruppen Anhydridfunktionen aufweist, sowie eine photoaktive Komponente. Neben Anhydridgruppen tragenden Monomeren kann das Basispolymer aus weiteren Monomeren aufgebaut sein, welche im Photoresist gezielt bestimmte Eigenschaften, zum Beispiel Resistenz gegen Plasmaätzverfahren, erzeugen und somit eine vielfältige Anwendung des Photoresists erlauben. An aqueous alkaline developable photoresist is proposed which is suitable for lithography in deep UV and shows a structure resolution in the sub-µm range. The photoresist contains a developable base polymer, which has anhydride functions as solution-mediating groups, and a photoactive component. In addition to monomers bearing anhydride groups, the base polymer can be composed of further monomers which specifically produce certain properties in the photoresist, for example resistance to plasma etching processes, and thus allow the photoresist to be used in a variety of ways.

Inventors

• 👤 Michael Dr. Rer. Nat. Dipl.-Chem. Sebald
• 👤 Recai Dr. Ing. Dipl.-Chem. Sezi
• 👤 Rainer Dr. Rer. Nat. Dipl.-Chem. Leuschner
• 👤 Siegfried Dr. Rer. Nat. Dipl.-Chem. Birkle
• 👤 Hellmut Dr. Ing. Dipl.-Chem. Ahne

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