Magnetic field sensor with a thin ferromagnetic layer

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung bezieht sich auf einen Magnetfeld­sensor mit ferromagnetischer, dünner Schicht (1) und zugehörigen Strom- (2) und Spannungskontakten (3) zum Auslesen magnetisch gespeicherter Daten. Die Er­findung hat einen Magnetfeldsensor zum Ziel, bei dem die Änderung des Magnetwiderstandes und damit das Meßsignal größer ist als bei den bisher be­kannten Magnetfeldsensoren. Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, daß wenigstens zwei durch eine Zwischenschicht getrennte ferromagnetische Schichten vorgesehen sind, die aus Materialien bestehen, die bewirken, daß entweder ohne oder unter Mitwirkung eines äußeren Magnetfeldes die Magnetisierungsrichtungen (7) der beiden ferromagne­tischen Schichten in einer Komponente antiparallel stehen. Außerdem soll die Zwischenschicht (1) eine Dicke aufweisen, die kleiner als die mittlere freie Weglänge der Elektronen ist. Das für die Zwischenschicht ausgewählte Material bewirkt, daß an den Grenzflächen mit den ferromagnetischen Schichten eine spinrichtungsabhängige Elektronen­streuung auftritt. The invention relates to a magnetic field sensor with a ferromagnetic, thin layer (1) and associated current (2) and voltage contacts (3) for reading out magnetically stored data. The aim of the invention is a magnetic field sensor in which the change in the magnetic resistance and thus the measurement signal is greater than in the previously known magnetic field sensors. According to the invention, this is achieved in that at least two ferromagnetic layers separated by an intermediate layer are provided, which consist of materials which cause the directions of magnetization (7) of the two ferromagnetic layers in one component to be antiparallel in one component, either without or with the participation of an external magnetic field. In addition, the intermediate layer (1) should have a thickness which is smaller than the mean free path length of the electrons. The material selected for the intermediate layer causes an electron scattering dependent on the spin direction to occur at the interfaces with the ferromagnetic layers.

Inventors

• 👤 Peter Dr. Grünberg

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