Method of producing boron-containing and/or phosphorous-containing silicate glass layers for highly integrated circuits

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem Verfahren zum Herstellen borhaltiger und/oder phosphor­haltiger Silikatglasschichten, wie Borsilikatglas, Phosphorsili­katglas, Borphosphorsilikatglas oder Borarsensilikatglas werden als Ausgangsmaterialien für die Zersetzung und Abscheidung aus der Gasphase solche elementorganische Silizium-Sauerstoff-Bor-­Verbindungen bzw. Silizium-Sauerstoff-Phosphor-Verbindungen ver­wendet, die alle Elemente bereits im vorgegebenen Verhältnis enthalten. Die Zersetzung der elementorganischen Ausgangsverbin­dungen kann thermisch oder durch Anregung in einem elektromag­netischen Wechselfeld erfolgen. Das Verfahren wird verwendet bei der Herstellung von Isolationsschichten zwischen Leiterbah­nen, von Passivierungsschichten und von Hilfsschichten bei Do­tierungen und insbesondere bei der Herstellung von grabenförmi­gen Kondensatorspeicherzellen (DRAMs) zur Substratdotierung im Zellenfeld. Das Verfahren gestattet die Herstellung von stabi­len Silikatglasschichten mit definierter Dotierung auch bei ho­her Integrationsdichte und ist durchführbar mit niedrigen Abschei­detemperaturen. Die verwendeten Ausgangsmaterialien sind ungif­tig und gut zu handhaben. In a process for producing boron-containing and / or phosphorus-containing silicate glass layers, such as borosilicate glass, phosphorus silicate glass, borophosphorus silicate glass or borosilicate silicate glass, such elemental organic silicon-oxygen-boron compounds or silicon-oxygen-phosphorus compounds are used as starting materials for the decomposition and deposition from the gas phase that already contain all elements in the specified ratio. The decomposition of the elemental organic starting compounds can take place thermally or by excitation in an alternating electromagnetic field. The method is used in the production of insulation layers between conductor tracks, passivation layers and auxiliary layers for doping and in particular in the production of trench-shaped capacitor memory cells (DRAMs) for substrate doping in the cell field. The method allows the production of stable silicate glass layers with defined doping even with a high integration density and can be carried out with low deposition temperatures. The raw materials used are non-toxic and easy to handle.

Inventors

• 👤 Helmuth Dipl.-Ing. Treichel
• 👤 Dieter Dipl.-Ing. Fuchs
• 👤 Konrad Dr. Hieber
• 👤 Thomas Prof. Dr. Kruck
• 👤 Oswald Dr. Spindler
• 👤 Bernhard Dipl.-Ing. Neureither

Bibliographic Details