Sputtering cathode following the magnetron principle

Abstract

Abstract Translated from German Bei einer Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-­Prinzip mit einem Target (11), mit einem hinter dem Target (11) angeordneten Magnetsystem mit mehreren, ineinanderliegenden und in sich geschlossenen Magnet­einheiten (14, 15, 16) abwechselnd unterschiedlicher Polung, durch die zwei gleichfalls in sich geschlos­sene, ineinanderliegende magnetische Tunnels aus bogenförmig gekrümmten Feldlinien gebildet werden, wobei die dem Target (11) abekehrten Pole der Magnet­einheiten (14, 15, 16) über ein Magnetjoch (17, 17a, 17b) miteinander verbunden sind, ist die magnetische Feldstärke eines Magnetfeldes relativ zu der magneti­schen Feldstärke eines weiteren Magnetfeldes durch Verschieben eines der Jochteile (17b) zum Target (11) über eine Verstelleinrichtung (21) veränderbar. Die Verstelleinrichtung (21) ist dazu über einen elektri­schen Schaltkreis ansteuerbar, der mit einem optischen Sensor (28) zusammenwirkt, der auf einen der sich beim Beschichtungsvorgang bildenden Plasmaringe (29) ausge­richtet ist und auf die Helligkeit dieses Plasmarings (29) anspricht. In the case of a sputtering cathode according to the magnetron principle with a target (11), with a magnet system arranged behind the target (11) with a plurality of magnet units (14, 15, 16) which are located one inside the other and are self-contained, with alternating polarity, through which the two also in closed, nested magnetic tunnels are formed from curved field lines, the poles of the magnet units (14, 15, 16) facing away from the target (11) being connected to one another via a magnetic yoke (17, 17a, 17b), the magnetic field strength is one Magnetic field relative to the magnetic field strength of a further magnetic field can be changed by moving one of the yoke parts (17b) to the target (11) via an adjusting device (21). The adjusting device (21) can be controlled via an electrical circuit which interacts with an optical sensor (28) which is aligned with one of the plasma rings (29) formed during the coating process and which responds to the brightness of this plasma ring (29).

Inventors

• 👤 Wolfram Dr. Maass
• 👤 Bernhard Dr. Cord
• 👤 Dagmar Ferenbach
• 👤 Thomas Martens
• 👤 Peter Dr. Wirz

Bibliographic Details