Surface planarization process of semiconductor devices

Abstract

Abstract Translated from French Procédé pour aplanir la surface d'un dispositif se­miconducteur recouvert d'une couche diélectrique (20) en verre de silice, qui utilise le dépôt d'une couche de laque (21) suivi d'une attaque par un plasma d'ions fluor et oxygène. - A partir du moment où les portions de la couche diélec­trique (20) de niveau (N1) le plus élevé sont découvertes de laque, l'attaque est effectuée en deux étapes. La pre­mière étape a lieu jusqu'au moment où le niveau le plus représentatif (N3) de la surface de la couche diélectri­que (20) est atteint ce qui est déterminé à partir de l'observation de la raie de CO émise par le plasma, après quoi la deuxième étape de l'attaque est effectuée en uti­lisant une concentration d'oxygène qui est réduite par rapport à celle utilisée dans le plasma durant la pre­mière étape, jusqu'à ce que la couche de laque (21) soit éliminée entièrement. - Application aux circuits semiconducteurs à haut niveau d'in­tégration. Method for flattening the surface of a semiconductor device covered with a dielectric layer (20) of silica glass, which uses the deposition of a layer of lacquer (21) followed by an attack by a plasma of fluorine ions and oxygen. - From the moment when the portions of the dielectric layer (20) of the highest level (N1) are discovered with lacquer, the attack is carried out in two stages. The first step takes place until the most representative level (N3) of the surface of the dielectric layer (20) is reached, which is determined from the observation of the CO line emitted by the plasma, after which the second step of the attack is carried out using an oxygen concentration which is reduced compared to that used in the plasma during the first step, until the lacquer layer (21) is completely removed. - Application to semiconductor circuits with high level of integration.

Inventors

• 👤 Leendert De Bruin
• 👤 Josephus Van Laarhoven

Bibliographic Details