Process for planarizing the surface of a semiconductor device using silicon nitride as an insulating material

Abstract

Abstract Translated from French Procédé pour aplanir la surface d'un dispositif semiconducteur (10) qui comporte un substrat (11) portant sur sa surface (12) une configuration de contact (13), procédé consistant essentielle­ment à effectuer successivement : a) un dépôt d'une couche de nitrure de silicium (14), b) un dépôt d'une couche de laque (15) dont la surfa­ce libre est sensiblement plane, c) une attaque progressive, par plasma, de la couche de laque (15) jusqu'à ce que les portions les plus proémi­nentes de la couche de nitrure de silicium (14) soient complètement découvertes, l'apparition complète de ces portions les plus proéminentes étant détectée par enregistrement des variations d'intensité d'une raie d'émission de l'azote, d) une attaque simultanée par plasma de la couche de nitrure de silicium (14) et de la laque restante (15) jusqu'à ce que la configuration de contact apparaisse complètement. Ce procédé est caractérisé en ce que, les conditions de l'attaque sont choisies telles que la vitesse d'attaque de la laque (15) soit supérieure à la vitesse d'attaque du nitrure de silicium (14), ceci afin de détecter avec une sensibilité accrue à l'aide dudit enregistrement, l'apparition complète de la configuration de contact. Method for flattening the surface of a semiconductor device (10) which comprises a substrate (11) carrying on its surface (12) a contact configuration (13), method essentially consisting in performing successively: a) depositing a layer of silicon nitride (14), b) depositing a layer of lacquer (15) whose free surface is substantially flat, c) a progressive attack, by plasma, of the lacquer layer (15) until the most prominent portions of the silicon nitride layer (14) are completely uncovered, the complete appearance of these most prominent being detected by recording variations in intensity of a nitrogen emission line, d) simultaneous plasma attack of the silicon nitride layer (14) and of the remaining lacquer (15) until the contact configuration appears completely. This method is characterized in that the attack conditions are chosen such that the attack speed of the lacquer (15) is greater than the attack speed of the silicon nitride (14), this in order to detect with increased sensitivity using said recording, the complete appearance of the contact configuration. Application aux composants semiconducteurs. Application to semiconductor components.

Inventors

• 👤 Raymond Fabien
• 👤 Jean-Michel Decrouen

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