Laser diode for the generation of strongly monochromatic laser light

Abstract

Abstract Translated from German Galliumarsenid- bzw. Indium-Galliumarsenid-Phosphid-Laserdiode mit DFB-Struktur (5), bei der die Strominjektion von der Kontakt-Metallisierungsbeschichtung (8) durch die DFB-Struktur hindurch erfolgt, wobei angegebene Bemessungen für Abstand der DFB-Struktur (5) von der laseraktiven Schicht (3) und einer hochdotierten Zone (7) einzuhalten sind, damit die Verbesserung der monochromatischen Eigenschaft der Laserstrahlung bei minimaler zusätzlicher Dämpfung bewirkt ist. Gallium arsenide or indium gallium arsenide phosphide laser diode with DFB structure (5), in which the current is injected from the contact metallization coating (8) through the DFB structure, the specified dimensions for the distance between the DFB structure (5 ) must be observed by the laser-active layer (3) and a highly doped zone (7) so that the improvement in the monochromatic property of the laser radiation is brought about with minimal additional attenuation.

Inventors

• 👤 Paul-Günther Dipl.-Ing. Baumann
• 👤 Martin Dipl.-Ing. Honsberg

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