MOS-controlled thyristor (MCT)

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem n-Kanal-MCT (MOS Controlled Thyristor) werden in der MOSFET-Struktur der schaltbaren Kathodenkurzschlüsse das p-dotierte Kanalgebiet und das n<+>-dotierte Draingebiet durch ein n-dotiertes kombiniertes Kanal-Drain-Gebiet (13) ersetzt. Die resultierende MOSFET-Struktur vom Verarmungs-Typ bringt für das Bauelement die Einrastimmunität und erlaubt eine einfache Optimierung der maximal abschaltbaren Stromstärke. In the case of an n-channel MCT (MOS Controlled Thyristor), the p-doped channel region and the n <+> - -doped drain region in the MOSFET structure of the switchable cathode short circuits are replaced by an n-doped combined channel-drain region (13) . The resulting depletion-type MOSFET structure provides the component with snap-in immunity and allows simple optimization of the maximum current that can be switched off.

Inventors

• 👤 Friedhelm Dr. Bauer

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