Process for the plasma-activated reactive deposition of a multi-component conductive material from a gas phase

Abstract

Abstract Translated from German Mit einem PCVD-Verfahren wird elektrisch leitendes Mehrkomponentenmaterial auf einem rohrförmigen Substrat (3) abgeschieden. Zwischen einer Innen­elektrode (13) und einer Außenelektrode, von denen eine rohrförmig ausgebildet ist und als Substrat dient, wird ein Plasma (9) erzeugt. Um Mehrkomponentenmaterial gewünschter Zusammensetzung zu erhalten, wird die Zusammensetzung der Gasphase zeitlich und/oder räumlich verändert. Insbesondere bei Verwendung von metallorganischen Ausgangsverbindungen wird durch PCVD vieler Einzelschichten mit intermittierender z.B. Ar/O₂-Plasma-Zwischenbehandlung eine effiziente Entfernung von unerwünschtem Kohlenstoff oder Fluor im abgeschiedenen Mehrkomponentenmaterial sofort bei der Herstellung erzielt. With a PCVD process, electrically conductive multi-component material is deposited on a tubular substrate (3). A plasma (9) is generated between an inner electrode (13) and an outer electrode, one of which is tubular and serves as a substrate. In order to obtain multi-component material of the desired composition, the composition of the gas phase is changed in time and / or in space. Particularly when using organometallic starting compounds, an efficient removal of unwanted carbon or fluorine in the deposited multicomponent material is achieved immediately during manufacture by PCVD of many individual layers with intermittent, for example Ar / O₂ plasma intermediate treatment.

Inventors

• 👤 Georg Dr. Gärtner
• 👤 Peter Janiel
• 👤 Hans Dr. Lydtin

Bibliographic Details