Process and apparatus for etching the surface of semiconductors

Abstract

Abstract Translated from German Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ätzen von Halbleiteroberflächen, insbesondere von Silicium, angegeben. Als Ätzmittel wird vorteilhaft eine Mischung eingesetzt, die Verbindungen auf Stickstoff-Sauerstoffbasis als oxidierende Komponente, als das Oxidationsprodukt auflösende Komponente Flußsäure und als Trägermedium Schwefelsäure, ggf. unter Phosphorsäurezusatz, verwendet. Diese Mischung gestattet es, den Prozeß als Kreisprozeß zu gestalten, wobei letztendlich der dem System zugeführte Sauerstoff eine Oxidation des zu ätzenden Materials bewirkt, und das Produkt dieser Oxidation aus dem Kreislauf entfernt wird. Das Verfahren zeichnet sich durch geringen Chemikalienverbrauch und große Umweltfreund­lichkeit aus. A method and a device for etching semiconductor surfaces, in particular silicon, are specified. A mixture is advantageously used as the etchant, which uses nitrogen-oxygen-based compounds as the oxidizing component, as the component which dissolves the oxidation product, hydrofluoric acid and as the carrier medium, sulfuric acid, optionally with the addition of phosphoric acid. This mixture makes it possible to design the process as a circular process, in which case the oxygen supplied to the system ultimately causes an oxidation of the material to be etched and the product of this oxidation is removed from the circuit. The process is characterized by low chemical consumption and great environmental friendliness.

Inventors

• 👤 Anton Dr. Dipl.-Chem. Schnegg
• 👤 Helene Dr. Dipl.-Chem. Prigge
• 👤 Gerhard Dr. Dipl.-Ing. Brehm
• 👤 Robert Rurländer
• 👤 Fritz Dr. Dipl.-Che. Ketterl

Bibliographic Details