Semiconductor element with a Schottky contact stable at a high temperature

Abstract

Abstract Translated from German Halbleiterbauelement mit hochtemperaturstabilem Schottky-­Kontakt, bestehend aus einer Wolfram-Bor-Legierung hohen Schmelzpunktes, die amorph abgeschieden wird und während des Temperprozesses eine stabile Schottky-Barriere beibe­hält, wobei die physikalischen Eigenschaften des Schottky-Kon­taktes erhalten bleiben und eine besonders hohe Barrierewirkung gegen Materialdiffusion erzielt wird. Semiconductor component with high-temperature stable Schottky contact, consisting of a tungsten-boron alloy with a high melting point, which is deposited amorphously and maintains a stable Schottky barrier during the annealing process, while maintaining the physical properties of the Schottky contact and a particularly high barrier effect against material diffusion is achieved.

Inventors

• 👤 Josef Dr. Willer

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