Integrated monolithic waveguide-photodiode combination

Abstract

Abstract Translated from German Monolithisch integrierte Wellenleiter-Fotodiodenkombination für optische Nachrichtensysteme, aufgebaut aus einem Trägersub­strat (1) aus n-leitendem Halbleitermaterial, z.B. InP, einer darauf aufgewachsenen weiteren Schicht (11) aus demselben Material, in deren Oberfläche eine streifenförmige n-leitende Absorptionsschicht (3) verläuft, und einem darauf befindlichen Wellenleiter (2). In den Wellenleiter ist über den n-leitenden Absorptionsschicht (3) eine p-Dotierung eindiffundiert und damit eine Fotodiode ausgebildet. Über dem p-leitenden Bereich ist der Kontakt für die positive Elektrode (6), auf der freien Seite des Trägersubstrates (1) der Kontakt für die negative Elektrode (5) aufgebracht und der Wellenleiter (2) nach oben durch eine Deckschicht (7) abgedeckt. Monolithically integrated waveguide-photodiode combination for optical communication systems, made up of a carrier substrate (1) made of n-type semiconductor material, e.g. InP, a further layer (11) made of the same material grown thereon, in the surface of which a strip-shaped n-type absorption layer (3) runs , and a waveguide (2) thereon. A p-type doping is diffused into the waveguide via the n-type absorption layer (3), thus forming a photodiode. The contact for the positive electrode (6) is applied over the p-conducting region, the contact for the negative electrode (5) is applied on the free side of the carrier substrate (1) and the waveguide (2) is directed upwards through a cover layer (7). covered.

Inventors

• 👤 Manfred Dr. Rer. Nat. Plihal

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