Module with power semiconductor circuits elements

Abstract

Abstract Translated from German Modul mit Halbleiter-Leistungsschaltelementen (29). Es sind zwei Substratplatten (21) aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff parallel zueinander im Abstand voneinander angeordnet, die auf ihren einander zugewandten Oberflächen (21a) mit Leiter­bahnen (22,24,26) versehen sind, auf denen wenigstens bei einer der Substratplatten die Schaltelemente bildenden Chips mit einer Anschlußfläche elektrisch kontaktierend befestigt sind. Die Leiterbahnen sind weiter mit Anschlußfahnen (37,40) verbunden, die wenigstens über zwei gegenüberliegende Ränder der Substrat­platte überstehen. Die Anschlußfahnen liegen mit ihren außen­liegenden Anschlußenden (37a,40a) in der Mittelebene zwischen den Substratplatten. Das Modul ist mit einer Spritzgießmasse so vergossen, daß die Außenflächen (21b) der Substratplatten frei liegen und die Anschlußenden der Anschlußfahnen in der Mittel­ebene über den Vergußkörper vorstehen. Module with semiconductor power switching elements (29). Two substrate plates (21) made of an electrically insulating material are arranged parallel to one another at a distance from one another and are provided on their mutually facing surfaces (21a) with conductor tracks (22, 24, 26) on which the switching elements form at least one of the substrate plates Chips are attached with a pad electrically contacting. The conductor tracks are further connected to connection tabs (37, 40) which protrude at least over two opposite edges of the substrate plate. The terminal lugs lie with their outer terminal ends (37a, 40a) in the middle plane between the substrate plates. The module is encapsulated with an injection molding compound in such a way that the outer surfaces (21b) of the substrate plates are exposed and the connecting ends of the connecting lugs protrude beyond the potting body in the central plane.

Inventors

• 👤 Klaus Dipl.-Ing. Sachs

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