Semiconductor component having at least one power MOSFET

Abstract

Abstract Translated from German Ein diskret aufgebauter MOSFET wird durch eine zwischen Gateanschluß und Sourceanschluß angelegte Spannung umgeschaltet. Der Sourceanschluß hat eine Eigeninduktivität, in der eine schnelle Änderung des Laststroms eine der angelegten Gate-Sourcevorspannung entgegenwirkende erhebliche Spannung induziert. Diese Gegenspannung wird dadurch verringert, daß der Sourcekontakt (8) mit einem Hilfsanschluß (10, 5) verbunden ist, der magnetisch weitgehend vom Sourceanschluß (9, 3) entkoppelt ist. Die Steuerspannung wird zwischen Gate- und Hilfsanschluß angelegt. Beim Parallelschalten mehrerer MOSFET lassen sich damit Schwingungen im Steuerkreis wirkungsvoll unterdrücken. A discrete MOSFET is switched by a voltage applied between the gate connection and the source connection. The source terminal has a self-inductance in which a rapid change in the load current induces a significant voltage which counteracts the applied gate-source bias. This counter voltage is reduced in that the source contact (8) is connected to an auxiliary connection (10, 5) which is largely magnetically decoupled from the source connection (9, 3). The control voltage is applied between the gate and auxiliary connection. When several MOSFETs are connected in parallel, vibrations in the control circuit can be effectively suppressed.

Inventors

• 👤 Ernst Dipl.-Ing. Hebenstreit
• 👤 Winfried Schierz
• 👤 Leo Dr. Lorenz
• 👤 Heinz Amann

Bibliographic Details