Photoreceiver

Abstract

Abstract Translated from German Die Erfindung betrifft einen monolithisch integrierten Photoempfänger aus zumindest einer PIN-Diode und minde­stens einem HEMT. Der Photoempfänger ist für einen in der Lichtleitfasertechnik nutzbaren Wellenlängenbereich von 0,8 bis 1,55µm geeignet. Die Heterostruktur-Halbleiter­schichtenfolge mit invertiert aufgebauter PIN-Diode ist so gewählt, daß im HEMT keine störende laterale Leitfähigkeit auftritt. The invention relates to a monolithically integrated photo receiver comprising at least one PIN diode and at least one HEMT. The photo receiver is suitable for a wavelength range from 0.8 to 1.55 µm that can be used in optical fiber technology. The heterostructure semiconductor layer sequence with an inverted PIN diode is chosen so that no disturbing lateral conductivity occurs in the HEMT.

Inventors

• 👤 Heinrich Dr.-Ing. Dämbkes
• 👤 Ulf Dr.-Ing. König

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