Circuit arrangement for detecting an excess temperature in semiconductor power devices

Abstract

Abstract Translated from German Die Temperatur des Leistungs-Halbleiterbauelements wird von einem Bipolartransistor (T 1) erfaßt. Dem Bipolartransistor ist ein Depletion-MOSFET (T 2) in Reihe geschaltet, dessen Gateanschluß (G) und Sourceanschluß (S) miteinander verbunden sind. Der Drainanschluß ist mit einem Schwellwertglied (SW) verbunden. Der FET ist im Normalfall niederohmig, so daß am Eingang des Schwellwertglieds Sourcepotential, z. B. Massepotential, liegt. Mit temperaturbedingt steigendem Strom wird der Strom durch den FET (T 2) auf einen konstanten, im wesentlichen temperaturunabhängigen Wert begrenzt und das Potential am Eingang des Schwellwertglieds steigt steil an. Dies wird als Übertemperatursignal detektiert. The temperature of the power semiconductor component is detected by a bipolar transistor (T 1). A depletion MOSFET (T 2) is connected in series to the bipolar transistor, the gate connection (G) and source connection (S) of which are connected to one another. The drain connection is connected to a threshold value (SW). The FET is normally low-impedance, so that source potential, for. B. ground potential. As the current increases due to the temperature, the current through the FET (T 2) is limited to a constant, essentially temperature-independent value and the potential at the input of the threshold element rises steeply. This is detected as an overtemperature signal.

Inventors

• 👤 Josef Dipl.-Ing. Einzinger
• 👤 Christine Fellinger
• 👤 Ludwig Dipl.-Ing. Leipold
• 👤 Jenö Dr. Tihanyi
• 👤 Roland Dipl.-Ing. Weber

Bibliographic Details