Reversely conducting thyristor

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem Rückwärtsleitenden Thyristor mit integrierter antiparalleler Diode wird eine Verbesserung der Schalteigenschaften dadurch erreicht, dass als Thyristor ein Feldgesteuerter Thyristor (FCT) vorgesehen ist. Gemäss einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist dieser FCT kathodenseitig durch eine Mehrzahl von abwechselnd angeordneten n<+>-dotierten Kathodenbereichen (3) und p-dotierten Gatebereichen (5) charakterisiert, wobei die Kathodenbereiche (3) durch Gräben (12) voneinander getrennt sind, über deren Böden sich die Gatebereiche (5) erstrecken. In the case of a reverse-conducting thyristor with an integrated antiparallel diode, an improvement in the switching properties is achieved in that a field-controlled thyristor (FCT) is provided as the thyristor. According to a preferred exemplary embodiment, this FCT is characterized on the cathode side by a plurality of alternately arranged n + + -doped cathode regions (3) and p-doped gate regions (5), the cathode regions (3) being separated from one another by trenches (12) the bottoms of which the gate areas (5) extend.

Inventors

• 👤 Peter Dr. Roggwiller

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