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EP0193128A2 Expired / Lapsed EP ⏱️ 0.0 years remaining

Film-mounted circuit and method for its production

Assignee: Siemens AG
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Filing: 1986-02-21
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Granted: —
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Expires: 2006-02-21
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Abstract

Abstract Translated from German Ein filmmontierter Schaltkreis (Mikropack) enthält einen Halbleiterchip (1) mit höckerartigen Anschlußkontakten (2) und einen Trägerfilm (3) mit metallischen Leiterbahnen (5). Die Leiterbahnen (5) weisen an ihrem einen Ende Außenanschlußkontakte (7) aus Lotmaterial auf, die einer Verbindung mit einer Außenbeschaltung dienen. An ihrem anderen Ende weisen sie ebenfalls Lotmaterial enthaltende Anschlußflächen (6) auf, die mit den Anschlußkontakten (2) des Halbleiterchips (1) eine durch Löten erzielte Legierung bilden. Beim Herstellverfahren werden die Lotmaterialien galvanisch abgeschieden. Für das Lotmaterial der Anschlußflächen (6) und die Anschlußkontakte (2) des Halbleiterchips (1) werden Materialien vorgeschlagen, die beim Löten durch thermische Interdiffusion eine hochtemperaturbeständige Phase ausbilden mit einem Schmelzpunkt, der mindestens 20° C über dem Schmelzpunkt des Lotes der Außenanschlußkontakte (7) liegt. Als Lotmaterial eignen sich insbesondere Indium und Gallium. Als Material für die Anschlußkontakte (2) eignen sich vorzugsweise Gold und Goldlegierungen. A film-mounted circuit (micropack) contains a semiconductor chip (1) with bump-like connection contacts (2) and a carrier film (3) with metallic conductor tracks (5). At one end, the conductor tracks (5) have external connection contacts (7) made of solder material, which serve for connection to an external circuit. At their other end they also have connection surfaces (6) containing solder material, which, together with the connection contacts (2) of the semiconductor chip (1), form an alloy obtained by soldering. In the manufacturing process, the solder materials are electrodeposited. For the solder material of the connection surfaces (6) and the connection contacts (2) of the semiconductor chip (1), materials are proposed which, when soldered by thermal interdiffusion, form a high-temperature-resistant phase with a melting point that is at least 20 ° C above the melting point of the solder of the external connection contacts ( 7) lies. Indium and gallium are particularly suitable as solder material. Gold and gold alloys are preferably suitable as the material for the connection contacts (2).

Inventors

  • 👤 H. Hans Dipl.-Phys. Steckhan

Bibliographic Details

Application Number —
Jurisdiction EP
Data Source google_patents
Last Synchronized 2026-11-09 11:24
CPC Classifications
H; H10; H10W; H10W70/00; H10W70/01; H10W70/04; H10W70/047; H10W70/60; H10W70/62; H10W70/65; H10W70/654; H10W70/655; H10W72/00; H10W72/071; H10W72/072; H10W72/07231; H10W72/07236

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