Monolithically integrated WDM demultiplexmodule and method of manufacturing such a module

Abstract

Abstract Translated from German Monolithisch integrierter WDM-Demultiplexmodul, bei dem auf einem Substrat (1) aus InP ein Schichtwellenleiter (10) aus InGaAsP ausgebildet ist, auf den eine Fotodiode (31) aus InGaAs aufgebracht ist. Die Fotodiode (31) ist durch Leckwellenkopplung an den Schichtwellenleiter (10) optisch gekoppelt. In der Oberfläche des Schichtwellenleiters (10) ist ein wellenlängenselektierendes Element (20) in Form eines Gitters ausgebildet. Der Modul kann mit einem einzigen Epitaxieschritt hergestellt werden. Es werden auch Maßnahmen zur Erhöhung der Nebensprechdämpfung des Moduls angegeben sowie eine Maßnahme zur besseren Einkopplung von Strahlung in den Modui. Monolithically integrated WDM demultiplex module, in which a layer waveguide (10) made of InGaAsP is formed on a substrate (1) made of InP, to which a photodiode (31) made of InGaAs is applied. The photodiode (31) is optically coupled to the layer waveguide (10) by leakage wave coupling. A wavelength-selecting element (20) in the form of a grating is formed in the surface of the layer waveguide (10). The module can be fabricated with a single epitaxial step. Measures are also given to increase the module's crosstalk attenuation and a measure to better couple radiation into the module.

Inventors

• 👤 Jochen Dr. Heinen
• 👤 Hans F. Dr. Mahlein
• 👤 Reinhard Dr. März
• 👤 Manfred Dr. Plihal
• 👤 Heinrich Dr. Schlötterer
• 👤 Gerhard Dr. Winzer
• 👤 Ulrich Dipl.-Phys. Wolff

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