Method and apparatus for obtaining a gas flow containing a gaseous compound, especially for use in an epitaxy reactor

Abstract

Abstract Translated from French L'invention a pour objet un procédé et un dispositif d'obtention d'un courant gazeux contenant un composé à l'état de vapeur, utilisable notamment pour introduire ce composé dans un réacteur d'épitaxie en phase vapeur. Ce procédé consiste à introduire le composé dans le premier compartiment (21a) d'une enceinte (21) séparée en un premier et un second compartiments par une cloison poreuse (23), à porter à une température déterminée le premier compartiment de l'enceinte de façon à évaporer le composé, à mettre en circulation dans le second compartiment (21b) un gaz vecteur capable d'entraîner le composé évaporé, et à extraire du second compartiment le gaz vecteur contenant le composé évaporé qui a diffusé dans le second compartiment par passage au travers de la cloison poreuse. En réglant la température, on contrôle le débit de composé diffusé au travers de la cloison (23) et en réglant le débit du gaz vecteur dans le second compartiment (21b), on règle à la valeur voulue la pression partielle du composé dans le courant gazeux sortant de l'enceinte par la conduite (31). The subject of the invention is a method and a device for obtaining a gas stream containing a compound in the vapor state, usable in particular for introducing this compound into an epitaxy reactor in the vapor phase. This method consists in introducing the compound into the first compartment (21a) of an enclosure (21) separated into first and second compartments by a porous partition (23), to bring the first compartment of the enclosure to a determined temperature. so as to evaporate the compound, to circulate in the second compartment (21b) a carrier gas capable of entraining the evaporated compound, and to extract from the second compartment the carrier gas containing the evaporated compound which has diffused in the second compartment by passage through the porous partition. By adjusting the temperature, the flow rate of compound diffused through the partition (23) is controlled and by adjusting the flow rate of the carrier gas in the second compartment (21b), the partial pressure of the compound in the current is adjusted to the desired value gas leaving the enclosure via the pipe (31).

Inventors

• 👤 Robert Mellet

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