CMOS integrated circuit and process for manufacturing dielectric isolation regions for this circuit

Abstract

Abstract Translated from French Circuit intégré CMOS et procédé de fabrication de zones d'isolation électrique dans ce circuit intégré. CMOS integrated circuit and method of manufacturing electrical isolation zones in this integrated circuit. Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes: réalisation de plusieurs tranchées (10) dans un substrat en silicium (2); oxydation thermique de substrat entraînant la formation d'un film d'oxyde (12) sur les flancs et dans le fond (16) des tranchées; élimination du film d'oxyde dans le fond des tranchées; et remplissage des tranchées par un matériau conducteur (20) constituant ainsi une électrode reliée au substrat correspondant à la masse du circuit. According to the invention, the method comprises the following steps: making several trenches (10) in a silicon substrate (2); thermal oxidation of the substrate resulting in the formation of an oxide film (12) on the sides and in the bottom (16) of the trenches; elimination of the oxide film in the bottom of the trenches; and filling the trenches with a conductive material (20) thus constituting an electrode connected to the substrate corresponding to the mass of the circuit.

Inventors

• 👤 Pierre Jeuch

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