Common housing for two semiconductor bodies

Abstract

Abstract Translated from German Gemeinsames Gehäuse für zwei Halbleiterkörper (D,IC), nämlich mit vorderem (NA) und hinterem (HA) Abschnitt für zwei räumlich getrennte, im Gehäuseinneren angebrachte, bevorzugt aber elektrisch untereinander leitend verbundene Halbleiterkörper (D, IC), wobei die, z.B. ganz aus Metall bestehende, Gehäuseoberfläche (W, G) im Betrieb durch ein fließfähiges Kühlmedium (KL), bevorzugt Kühlluft (KL), gekühlt wird, insbesondere Gehäuse für ein 200 MBit-Lichtsendemodul mit Hochfrequenzspannungs-Eingang (ST), mit Glasfaser-Ausgang (M/L) und mit einer Lichtsendediode (D) und einem Treiberchip (IC) als Halbleiterkörper, wobei in seinem vorderen Abschnitt (VA) der vordere, erste Halbleiterkörper (D) und in seinem hinteren Abschnitt (HA) der hintere, zweite Halbleiterkörper (ICI angebracht ist, die maximale Betriebstemperatur des hinteren Halbleiterkorpers (IC) zumindest zeitweise höher als die maximale Betriebstemperatur des vorderen Halbleiterkörpers (D) ist, der Wärmewilderstand zwischen dem vorderen Halbleiterkörper (D) und einer wärmeleitend mit ihm verbundenen vorderen Kühlfläche (GW/X) der Gehäuseroberfläche am vorderen Abschnitt (VA), sowie der Wärmewiderstand zwischen dem hinteren Halbeiterkörper (IC) und einer wärmeleitend mit ihm verbundenen hinteren, von der vorderen verschiedenen, Kühlfläche der Gehäuseoberfläche am hinteren Abschnitt (HA) jeweils niedriger ist als sowohl der Wärmewiderstand im Gehäuseinneren zwischen den beiden Halbeiterkörpern (D,IC) als such der Wärmewiderstand zwischen der vorderen und der hinteren Kühlfläche, und im Betrieb das Kühlmedium (KL) zuerst vorbei an der vorderen Kühlfläche und danach vorbei an der hinteren Kühlfläche fließt. Common housing for two semiconductor bodies (D, IC), namely with a front (NA) and rear (HA) section for two spatially separated semiconductor bodies (D, IC) attached, but preferably electrically connected, to one another inside the housing, the, e.g. completely made of metal, housing surface (W, G) is cooled in operation by a flowable cooling medium (KL), preferably cooling air (KL), in particular housing for a 200 Mbit light transmitter module with high-frequency voltage input (ST), with glass fiber output (M / L) and with a light emitting diode (D) and a driver chip (IC) as a semiconductor body, the front, first semiconductor body (D) in its front section (HA) and the rear, second semiconductor body in its rear section (HA) (ICI is attached, the maximum operating temperature of the rear semiconductor body (IC) is at least temporarily higher than the maximum operating temperature of the front semiconductor body (D), the heat poaching between the front semiconductor body (D) and a heat-conducting front cooling surface (GW / X ) the surface of the housing at the front section (VA), as well as the thermal resistance between the rear semiconductor body (IC) and a rear heat-conducting connected to it, of the front, different cooling surface of the housing surface at the rear section (HA) is lower than both the thermal resistance inside the housing between the two semiconductor bodies (D, IC) and the thermal resistance between the front and rear cooling surfaces, and during operation the cooling medium ( KL) first flows past the front cooling surface and then past the rear cooling surface.

Inventors

• 👤 Michael Dr. Langenwalter
• 👤 Karl Heinz Dipl.-Ing. Möhrmann
• 👤 Herbert Dipl.-Ing. Prussas
• 👤 Lothar Dipl.-Ing. Später

Bibliographic Details