Method of making lateral doping gradients in disc shaped silicon crystals for semi conductor devices

Abstract

Abstract Translated from German Zur Anpassung an das gewünschte Profil des pn-Überganges (3, 4) wird eine Implantationsmaske (2) verwendet, deren Dicke im Randbereich (2b) entsprechend dem Verlauf des gewünschten pn-Überganges (3, 4) im Siliziumkristall (1) variiert. Die Maske wird auf dem Siliziumkristall (1) auf elektrochemischem Wege unter Ausnützung des Silizium-Elektrolyt-Kontaktes hergestellt, wobei der Stromfluß durch Licht induziert wird. Das Verfahren erlaubt eine kontinuierliche laterale Variation der implantierten Dosis über größere Ausdehnungen (einige 100 µm) und wird verwendet bei der Herstellung von Leistungshalbleiterbauelementen, insbesondere Thyristoren. To adapt to the desired profile of the pn junction (3, 4), an implantation mask (2) is used, the thickness of which in the edge region (2b) varies in accordance with the course of the desired pn junction (3, 4) in the silicon crystal (1). The mask is produced on the silicon crystal (1) in an electrochemical way using the silicon-electrolyte contact, the current flow being induced by light. The method allows a continuous lateral variation of the implanted dose over larger dimensions (a few 100 µm) and is used in the production of power semiconductor components, especially thyristors.

Inventors

• 👤 Helmut Dr. Föll
• 👤 Ulrich Dr. Gösele
• 👤 Reinhard Dipl.-Phys Stengl

Bibliographic Details