One-transistor memory cell for high-density integrated dynamic semiconductor memories, and method for manufacturing the same

Abstract

Abstract Translated from German Ein-Transistor-Speicherzelle mit einem Halbleiterkörper (1), der auf einer Grenzfläche (1a) eine dünne Isolationsschicht (2) und auf dieser eine leitende Schicht (3) aufweist, die die mit einem Auswahl-Feldeffekttransistor verbundene Elektrode eines Speicherkondensators darstellt, wobei der Auswahl-Feldeffekttransistorin eineralspolykristalline Halbleiterschicht (5) aufgebrachten und sodann rekristallisierten Schicht realisiert ist. Hierbei wird angestrebt, die Speicherzelle auf einer möglichst kleinen Halbleiterfläche zu plazieren. Das wird dadurch erreicht, daß die rekristallisierte Halbleiterschicht (5) oberhalb der leitenden Schicht (3) angeordnet und durch eine Zwischenisolationsschicht (4) von dieser getrennt ist, wobei sie sich in lateraler Richtung höchstens bis zum Rand der leitenden Schicht (3) hin erstreckt. Der Anwendungsbereich umfaßt hochintegrierte dynamische RAM-Halbleiterspeicher. A transistor memory cell with a semiconductor body (1), which has a thin insulation layer (2) on an interface (1a) and a conductive layer (3) thereon, which represents the electrode of a storage capacitor connected to a selection field effect transistor, wherein the selection field-effect transistor is applied in a polycrystalline semiconductor layer (5) and then recrystallized. The aim here is to place the memory cell on the smallest possible semiconductor area. This is achieved in that the recrystallized semiconductor layer (5) is arranged above the conductive layer (3) and separated from it by an intermediate insulation layer (4), wherein it extends in the lateral direction at most to the edge of the conductive layer (3) . The application area includes highly integrated dynamic RAM semiconductor memories.

Inventors

• 👤 Wolfgang Dr. Müller

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