Process for producing a buried isolation layer in a semiconductor substrate by implantation

Abstract

Abstract Translated from French Procédé de fabrication d'une couche isolante enterrée dans un substrat semi-conducteur, par implantation ionique. Ce procédé consiste à réaliser un masque (6, 8) sur les régions du substrat dans lesquelles seront réalisées les zones actives, à réaliser une implantation ionique (10) d'oxygène ou d'azote dans le substrat (2) à travers le masque (6, 8) servant à former par dispersion et diffusion latérales (F) dans le substrat (2) des ions implantés, une couche isolante (14) d'oxyde ou de nitrure continue et enterrée dans le substrat (2), et à réaliser éventuellement un recuit du substrat (2) implanté servant à renforcer la continuité de la couche isolante (14) par diffusion latérale des ions implantés. Method of manufacturing an insulating layer buried in a semiconductor substrate, by ion implantation. This method consists in producing a mask (6, 8) on the regions of the substrate in which the active zones will be produced, in carrying out an ion implantation (10) of oxygen or nitrogen in the substrate (2) through the mask (6, 8) serving to form, by lateral dispersion and diffusion (F) in the substrate (2) of implanted ions, an insulating layer (14) of continuous oxide or nitride buried in the substrate (2), and optionally annealing the implanted substrate (2) serving to reinforce the continuity of the insulating layer (14) by lateral diffusion of the implanted ions.

Inventors

• 👤 Michel Bruel
• 👤 Jean Du Port De Poncharra

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