Semiconductor laser diode

Abstract

Abstract Translated from German Laserdiode (Figur 1) mit einem laseraktiven Streifen (4, 4a) zur Aussendung frequenzstabiler, einfrequenter Laserstrahlung (6), die diese Eigenschaften auch bei Modulation (des Anregungsstromes) beibehält. Dazu sind in dem einen einzigen Halbleiterkörper (2) auf beiden Seiten des die Laserstrahlung (6) aussendenden laseraktiven Streifens (4, 4a) lateral benachbart weitere laseraktive Streifen (11,12,13) mit wellenoptischer Kopplung hinsichtlich der parallel zu dem aussendenden Streifen (4, 4a) verlaufenden Anteile (L11, L12, L13) der weiteren Streifen (11, 12, 13) vorgesehen. Keiner dieser weiteren Streifen reicht bis an die Stirnfläche (5') des Halbleiterkörpers (2) heran, durch die hindurch die Aussendung (6) erfolgt und endet (in Richtung zu dieser Stirnfläche 5') an einer "innerhalb" des Halbleiterkörpers (2) erzeugten Spiegelfläche (14b). Laser diode (Figure 1) with a laser-active strip (4, 4a) for emitting frequency-stable, single-frequency laser radiation (6), which maintains these properties even with modulation (the excitation current). For this purpose, in one single semiconductor body (2) on both sides of the laser-active strip (4, 4a) emitting the laser radiation (6) laterally adjacent further laser-active strips (11, 12, 13) with wave-optical coupling with regard to the parallel to the emitting strip ( 4, 4a) extending portions (L11, L12, L13) of the further strips (11, 12, 13) are provided. None of these further strips extends to the end face (5 ') of the semiconductor body (2), through which the transmission (6) takes place and ends (in the direction of this end face 5') at an "inside" of the semiconductor body (2) generated mirror surface (14b).

Inventors

• 👤 Franz Dr. Kappeler

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