Process for making A3B5 light-emitting diodes

Abstract

Abstract Translated from German Zur Herstellung von A3B5-Lumineszenzdioden, inbesondere (Ga,Al)As-Lumineszenzdioden mit Te und Zn als Dotierstoffe wird zunächst auf einen Ga,As-Substrat aus einer n-dotierten (S,Se,Te)Ga,Al,As-Schmelze eine erste n-dotierte GaAlAs-Schicht (6) epitaxiert und nach einer Zwischenabscheidung ohne Kontakt mit dem GaAs-Substratvornehmlich einem Hilfssubstrat (3) - auf dem bereits mit der n-GaAlAs-Schicht epitaxierten Substrat eine mit Zn oder Mg p-dotierte GaAlAs-Schicht (7) abgeschieden. Man erhält effiziente Leuchtdioden. To produce A3B5 luminescent diodes, in particular (Ga, Al) As luminescent diodes with Te and Zn as dopants, Ga, As is first made from an n-doped (S, Se, Te) Ga, Al, As melt epitaxizes a first n-doped GaAlAs layer (6) and, after an intermediate deposition without contact with the GaAs substrate, primarily an auxiliary substrate (3) - on the substrate already epitaxized with the n-GaAlAs layer, a GaAlAs pd-doped with Zn or Mg Layer (7) deposited. Efficient light emitting diodes are obtained.

Inventors

• 👤 Siegfried Leibenzeder
• 👤 Christine Heindl

Bibliographic Details