Power transistor

Abstract

Abstract Translated from German Beim Abschalten eines Leistungstransistors kann es zum lokalen Aufschmelzen des Halbleiterkörpers kommen, wenn eine charakteristische Verlustleistung für eine bestimmte Zeitdauer überschritten wird (second breakdownl. Dies läßt sich vermeiden, wenn der Transistor aus einer Vielzahl von kleinsten Teiltransistoren mit sehr schmalen Emitterzonen (4) besteht, die über je einen Ballastwiderstand (5) einander parallel geschaltet sind. When a power transistor is switched off, the semiconductor body may melt locally if a characteristic power loss is exceeded for a certain period of time (second breakdown). This can be avoided if the transistor consists of a large number of very small sub-transistors with very narrow emitter zones (4), which are connected in parallel via a ballast resistor (5).

Inventors

• 👤 Jenö Dr. Ing. Tihanyi

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