High-frequency bipolar transistor and method of making the same

Abstract

Abstract Translated from French Ce transistor comprend au-dessus des doigts de base (10) une couche de siliciure de titane à partir de laquelle ont été formées les diffusions de base (10) et une couche de nitrure de silicium (4). Les bords des sandwiches constitués par les bandes (3) et (4) sont bordés par un remblai (7) de silice formé automatiquement par dépôt et attaque anisotrope sans masquage supplémentaire. Les doigts d'émetteur (9) sont surplombés par une couche de silicium polycristallin (8) à partir duquel le dopage de ces doigts a été obtenu. On obtient ainsi automatiquement et sans alignement de masques la possibilité d'avoir des doigts d'émetteur et de base fortement rapprochés avec des distances de garde minimales. This transistor comprises above the base fingers (10) a layer of titanium silicide from which the base diffusions (10) have been formed and a layer of silicon nitride (4). The edges of the sandwiches formed by the strips (3) and (4) are bordered by a silica fill (7) formed automatically by deposition and anisotropic attack without additional masking. The emitter fingers (9) are overhung by a layer of polycrystalline silicon (8) from which the doping of these fingers has been obtained. There is thus obtained automatically and without alignment of masks the possibility of having transmitter and base fingers strongly brought together with minimum guard distances.

Inventors

• 👤 Agustin Coello-Vera

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