Dip process for producing transparent electrically conductive doped indium oxide layers

Abstract

Abstract Translated from German Bei einem Verfahren zum Herstellen transparenter, elektrisch leitfähiger, dotierter Indiumoxidschichten in einem Tauchprozeß) bei welchem das zu beschichtende Substrat in eine Lösung getaucht wird, welche hydrolysierbare Verbindungen des Indiums enthält, worauf das Substrat aus dieser Lösung gezogen, getrocknet und bei Temperaturen bis zu 500°C getempert wird, wird eine Tauchlösung verwendet, welche neben der Indium-Verbindung noch mindestens eine hydrolysierbare Verbindung eines Elements der 2., 4. oder 5. Hauptgruppe, der 1., 2., 4., 5., oder 8. Nebengruppe des Periodischen Systems der Elemente oder der Seltenen Erden enthält. In a method for producing transparent, electrically conductive, doped indium oxide layers in a dipping process) in which the substrate to be coated is immersed in a solution which contains hydrolyzable compounds of the indium, whereupon the substrate is drawn from this solution, dried and at temperatures up to 500 ° C, an immersion solution is used which, in addition to the indium compound, also contains at least one hydrolyzable compound of an element of the 2nd, 4th or 5th main group, the 1st, 2nd, 4th, 5th or 8th Subgroup of the Periodic Table of the Elements or Rare Earths contains.

Inventors

• 👤 Nanning Dr. Arfsten
• 👤 Reinhard Kaufmann
• 👤 Doris Schubert

Bibliographic Details